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FCP190N60_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCP190N60
ON(安森美)
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： SuperFET® II

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

自营 国内现货
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FCP190N60_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCP190N60
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： SuperFET® II

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

Digi-Key
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FCP190N60_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCP190N60
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￥25.239473

库存： 0

货期：7~10 天

系列： SuperFET® II

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

Mouser
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FCP190N60_晶体管
FCP190N60
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MOSFET N-CH 600V TO220-3

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晶体管
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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FCP190N60

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 650 V

Id-连续漏极电流： 20.2 A

Rds On-漏源导通电阻： 199 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 74 nC

Pd-功率耗散： 208 W

通道模式： Enhancement

商标名： SuperFET II

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

高度： 16.3 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 1 N-Channel

宽度： 4.7 mm

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FCP190N60_未分类
FCP190N60
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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未分类
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￥22.344959

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￥19.103869

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￥18.903981

+2500：

￥18.175806

+3000：

￥17.990193

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FCP190N60参数规格

属性 参数值
系列: SuperFET® II
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3