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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB150N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥17.907462 +200：￥6.931921 +500：￥6.690354 +800：￥6.564319	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 57A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 49A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB150N10 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDB150N10 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+800：￥2.711916 +2400：￥2.664803 +4000：￥2.593976 +9600：￥2.476139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDB150N10 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDB150N10 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.716394 +800：￥4.441304 +2400：￥4.323362 +5600：￥4.126898	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB150N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥14.48103 +1600：￥12.21297 +2400：￥11.602302	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 57A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 49A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB150N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥35.424437 +1600：￥29.876161 +2400：￥28.382305	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 57A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 49A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDB150N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.428136 +10：￥48.944603 +100：￥40.10037	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK
FDB150N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.428136 +10：￥48.944603 +100：￥40.10037	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB150N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥59.01823 +10：￥50.377441 +25：￥49.562271 +100：￥41.573615 +250：￥41.084514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB150N10 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥57.497222 +10：￥51.514771 +25：￥49.430195 +100：￥41.634444 +250：￥31.582781	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDB150N10参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	57A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15 毫欧 49A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	69 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4760 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）