FQP13N10厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FQP13N10 共 11 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP13N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥13.724651 +10：￥11.965361 +50：￥10.872634 +100：￥9.747125 +500：￥9.233543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP13N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.676128	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP13N10 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP13N10 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.785941 +20：￥2.690321 +200：￥2.594701	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQP13N10 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FQP13N10 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥7.026916 +1000：￥6.868434 +2000：￥6.603424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQP13N10 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP13N10 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+6：￥2.197311 +1000：￥2.105689 +3000：￥2.014175 +12000：￥1.922661	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQP13N10 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP13N10 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.489401 +100：￥1.463354 +300：￥1.424574 +500：￥1.385678 +9850：￥1.333932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP13N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP13N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP13N10 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-220-3 系列： FQP13N10 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 100 V Id-连续漏极电流： 12.8 A Rds On-漏源导通电阻： 180 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V Qg-栅极电荷： 16 nC Pd-功率耗散： 65 W 通道模式： Enhancement 商标名： QFET 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 25 ns 正向跨导 - 最小值： 6.8 S 高度： 16.3 mm 长度： 10.67 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 55 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 20 ns 典型接通延迟时间： 5 ns 宽度： 4.7 mm 零件号别名： FQP13N10_NL 单位重量： 2 g 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP13N10 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥8.016243	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQP13N10参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 6.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	450 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	65W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）