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FQD1N60CTM_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQD1N60CTM
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¥8.712

+10:

¥5.808

+30:

¥4.84

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5Ohm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 170 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W (Ta), 28W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C # 150°C (TJ)

自营 现货库存
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FQD1N60CTM_未分类
FQD1N60CTM
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

未分类

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¥3.485799

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¥3.114272

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¥2.939436

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¥2.753672

+500:

¥2.644399

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5Ohm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 170 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W (Ta), 28W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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FQD1N60CTM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥3.731761

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5Ohm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 170 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W (Ta), 28W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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FQD1N60CTM
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FQD1N60CTM VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥2.040661

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¥1.98961

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¥1.938675

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¥1.887624

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¥1.853589

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5Ohm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 170 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W (Ta), 28W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5Ohm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 170 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W (Ta), 28W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

FQD1N60CTM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥10.403072

库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

FQD1N60CTM_未分类
FQD1N60CTM
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

未分类

+1110:

¥3.856588

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V

FQD1N60CTM_未分类
FQD1N60CTM
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MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

未分类

+1110:

¥3.826039

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-252AA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V

FQD1N60CTM参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5Ohm 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.2 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 170 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
温度: -55°C # 150°C (TJ)