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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMF5XV6T5G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 下载数据手册未分类	+1：￥0.52123 +200：￥0.20171 +500：￥0.194623 +1000：￥0.191118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V，12V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V / 270 10mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA / 250mV 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： - 功率 - 最大值： 500mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMF5XV6T5G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 下载数据手册晶体管-双极	+10：￥0.853068 +50：￥0.796254 +100：￥0.785457 +200：￥0.772571 +500：￥0.746926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V，12V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V / 270 10mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA / 250mV 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： - 功率 - 最大值： 500mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：
	EMF5XV6T5G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 下载数据手册晶体管-双极	+1000：￥0.937124 +5000：￥0.924117	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V，12V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V / 270 10mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA / 250mV 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： - 功率 - 最大值： 500mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMF5XV6T5G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 下载数据手册晶体管-双极	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V，12V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V / 270 10mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA / 250mV 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： - 功率 - 最大值： 500mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMF5XV6T5G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 下载数据手册晶体管-双极	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V，12V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V / 270 10mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA / 250mV 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： - 功率 - 最大值： 500mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：
	EMF5XV6T5G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563 下载数据手册未分类	+2472：￥1.696538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： SOT-563, SOT-666 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Power - Max： 500mW Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition： - Resistor - Base (R1)： 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2)： 47kOhms Supplier Device Package： SOT-563 Part Status： Obsolete

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMF5XV6T5G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 下载数据手册晶体管-双极	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V，12V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V / 270 10mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA / 250mV 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： - 功率 - 最大值： 500mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMF5XV6T5G onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+50：￥0.607383 +100：￥0.599884 +200：￥0.589575 +500：￥0.569891 +1000：￥0.562394	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

EMF5XV6T5G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	1 NPN 预偏压式，1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V，12V
电阻器 - 基极 (R1):	47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	80 5mA，10V / 270 10mA，2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	250mV 300µA，10mA / 250mV 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	-
功率 - 最大值:	500mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度: