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EMD5DXV6T5G_null
EMD5DXV6T5G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

+1:

¥0.502533

+200:

¥0.194473

+500:

¥0.187639

+1000:

¥0.184263

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧,47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧,47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V / 20 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

Digi-Key
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EMD5DXV6T5G_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

晶体管-双极

+8000:

¥0.848743

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧,47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧,47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V / 20 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

EMD5DXV6T5G_未分类
EMD5DXV6T5G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

未分类

+5852:

¥0.607721

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: SOT-563, SOT-666

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power - Max: 500mW

Current - Collector (Ic) (Max): 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max): 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V

Frequency - Transition: -

Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms

Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms

Supplier Device Package: SOT-563

Part Status: Last Time Buy

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMD5DXV6T5G_未分类
EMD5DXV6T5G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

未分类

+1:

¥3.856856

+10:

¥3.030387

+100:

¥1.87333

+500:

¥1.363674

+1000:

¥1.239703

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 8000

EMD5DXV6T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧,47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧,47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V / 20 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 500mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: