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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8661-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8 下载数据手册未分类	+1：￥5.230449 +10：￥4.348205 +30：￥3.917585 +100：￥3.476463 +500：￥3.21389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8661-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8 下载数据手册未分类	+3550：￥2.520135	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）
	ECH8661-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8 下载数据手册未分类	+5：￥6.953972 +50：￥4.91581 +100：￥4.316305 +200：￥4.136431 +500：￥3.906616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8661-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.257388 +6000：￥3.094568 +15000：￥2.978208	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8661-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.628755 +6000：￥5.347403 +15000：￥5.146333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）
	ECH8661-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.256078 +10：￥11.856138 +100：￥9.247044 +500：￥7.638971 +1000：￥6.030898	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： 8-ECH
	ECH8661-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.256078 +10：￥11.856138 +100：￥9.247044 +500：￥7.638971 +1000：￥6.030898	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： 8-ECH
	ECH8661-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8 下载数据手册未分类	+707：￥4.741948	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SMD, Flat Lead Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Power - Max： 1.5W FET Type： N and P-Channel Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7A, 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 710pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 24mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 11.8nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： - Supplier Device Package： 8-ECH Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8661-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8 下载数据手册未分类	+1：￥17.011534 +10：￥14.932346 +100：￥11.656051 +500：￥9.624118 +1000：￥8.395508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8661-TL-H 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 7A/5.5A 8-Pin ECH T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥5.292478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ECH8661-TL-H参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A，5.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11.8nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	710pF 10V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	8-ECH
温度:	150°C（TJ）