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EFC8811R-TF_射频晶体管
EFC8811R-TF
ON(安森美)
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￥2.731818

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-SMD, No Lead

供应商器件封装： 6-CSP (1.77x3.54)

Digi-Key
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EFC8811R-TF_射频晶体管
EFC8811R-TF
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货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-SMD, No Lead

供应商器件封装： 6-CSP (1.77x3.54)

EFC8811R-TF_射频晶体管
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￥5.397949

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-SMD, No Lead

供应商器件封装： 6-CSP (1.77x3.54)

EFC8811R-TF_射频晶体管
EFC8811R-TF
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货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-SMD, No Lead

供应商器件封装： 6-CSP (1.77x3.54)

Mouser
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EFC8811R-TF_晶体管
EFC8811R-TF
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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： CSP-6

系列： EFC8811R

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 12 V

Id-连续漏极电流： 27 A

Rds On-漏源导通电阻： 6.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 500 mV

Qg-栅极电荷： 100 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 17.7 us

产品类型： MOSFET

上升时间： 570 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 38 us

典型接通延迟时间： 80 ns

单位重量： 60 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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EFC8811R-TF
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Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R

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EFC8811R-TF
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R

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EFC8811R-TF
onsemi(安森美)
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Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R

未分类
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￥4.835328

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￥4.787233

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￥4.739139

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EFC8811R-TF
onsemi(安森美)
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￥4.791987

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￥4.315195

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￥4.271683

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EFC8811R-TF
onsemi(安森美)
授权代理品牌

MOSFET, DUAL N-CH, 12V, 27A, CSP-6

未分类
+1：

￥9.384466

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￥8.441357

+100：

￥6.671586

+500：

￥5.577117

+1000：

￥4.214857

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货期：7~10 天

 暂无参数

EFC8811R-TF参数规格

属性 参数值
系列: -
安装类型: Surface Mount
工作温度: 150°C (TJ)
封装/外壳: 6-SMD, No Lead
供应商器件封装: 6-CSP (1.77x3.54)