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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8690-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V ECH8 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 955pF 20V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8690-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V ECH8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.036804 +6000：￥4.784964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 955pF 20V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）
	ECH8690-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	COMPLEMENTARY DUAL POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.045607	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 955pF 20V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8690-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V ECH8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥8.703581 +6000：￥8.268402	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 955pF 20V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）
	ECH8690-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V ECH8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.510994 +10：￥18.336334 +100：￥14.298385 +500：￥11.81186 +1000：￥9.325212	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： 8-ECH
	ECH8690-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V ECH8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.45163 +200：￥2.505767 +500：￥2.419361 +1000：￥2.376158	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： 8-ECH

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8690-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V ECH8 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： ECH-8 系列： ECH8690 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel, P-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 60 V Id-连续漏极电流： 4.7 A, 3.5 A Rds On-漏源导通电阻： 55 mOhms, 94 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2.6 V Qg-栅极电荷： 18 nC Pd-功率耗散： 1.5 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi 配置： Dual 产品类型： MOSFET 晶体管类型： 1 N-Channel, 1 P-Channel 单位重量： 19.450 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

ECH8690-TL-H参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.7A，3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	955pF 20V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	8-ECH
温度:	150°C（TJ）