品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Not For New Designs

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-SMD, No Lead

供应商器件封装： 6-EFCP (1.9x1.46)

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Not For New Designs

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-SMD, No Lead

供应商器件封装： 6-EFCP (1.9x1.46)

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Not For New Designs

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-SMD, No Lead

供应商器件封装： 6-EFCP (1.9x1.46)

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： WLCSP-6

系列： EFC6605R

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 10 A

Rds On-漏源导通电阻： 13.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 10 V, + 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.3 V

Qg-栅极电荷： 19.8 nC

Pd-功率耗散： 1.6 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 60800 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 678 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 44400 ns

典型接通延迟时间： 154 ns

单位重量： 66 mg

温度： - 55 C~+ 150 C