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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EPC2108_射频晶体管
授权代理品牌

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: EPC

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: eGaN®

零件状态: 在售

FET 类型: 3 N 沟道(半桥 + 同步自举)

FET 功能: GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss): 60V,100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A,500mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 2.5A,5V,3.3 欧姆 2.5A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA,2.5V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.22nC 5V,0.044nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22pF 30V,7pF 30V

功率 - 最大值: -

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 9-VFBGA

供应商器件封装: 9-BGA(1.35x1.35)

温度: -40°C # 150°C(TJ)

EPC2108_射频晶体管
授权代理品牌

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

射频晶体管

+1:

¥21.879211

+10:

¥18.149801

+100:

¥14.445252

+500:

¥12.223021

+1000:

¥10.370995

库存: 0

货期:7~10 天

系列: eGaN®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 9-VFBGA

供应商器件封装: 9-BGA (1.35x1.35)

EPC2108_射频晶体管
授权代理品牌

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

射频晶体管

+1:

¥21.879211

+10:

¥18.149801

+100:

¥14.445252

+500:

¥12.223021

+1000:

¥10.370995

库存: 0

货期:7~10 天

系列: eGaN®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 9-VFBGA

供应商器件封装: 9-BGA (1.35x1.35)

EPC2108参数规格

属性 参数值
品牌: EPC
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: eGaN®
零件状态: 在售
FET 类型: 3 N 沟道(半桥 + 同步自举)
FET 功能: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 60V,100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A,500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 2.5A,5V,3.3 欧姆 2.5A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA,2.5V 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.22nC 5V,0.044nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22pF 30V,7pF 30V
功率 - 最大值: -
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 9-VFBGA
供应商器件封装: 9-BGA(1.35x1.35)
温度: -40°C # 150°C(TJ)