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EPC2108参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | EPC |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | eGaN® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 3 N 沟道(半桥 + 同步自举) |
FET 功能: | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss): | 60V,100V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.7A,500mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 190 毫欧 2.5A,5V,3.3 欧姆 2.5A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 100µA,2.5V 20µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.22nC 5V,0.044nC 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 22pF 30V,7pF 30V |
功率 - 最大值: | - |
工作温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 9-VFBGA |
供应商器件封装: | 9-BGA(1.35x1.35) |
温度: | -40°C # 150°C(TJ) |