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EMH2418R-TL-H
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MOSFET 2N-CH 24V 9A EMH8

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Last Time Buy

FET 类型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏源电压(Vdss): 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15mOhm 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: SOT-383FL, EMH8

温度: 150°C (TJ)

自营 国内现货
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EMH2418R-TL-H_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 24V 9A EMH8

射频晶体管

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封装/外壳: *

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FET 类型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏源电压(Vdss): 24V

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功率 - 最大值: 1.3W

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Digi-Key
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MOSFET 2N-CH 24V 9A EMH8

射频晶体管

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Last Time Buy

FET 类型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏源电压(Vdss): 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15mOhm 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: SOT-383FL, EMH8

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封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

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Mouser
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品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: EMH-8

系列: EMH2418R

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 24 V

Id-连续漏极电流: 9 A

Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV

Qg-栅极电荷: 4.4 nC

Pd-功率耗散: 1.3 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 22.6 us, 22.6 us

正向跨导 - 最小值: 4 S, 4 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 170 ns, 170 ns

晶体管类型: 2 N-channel

典型关闭延迟时间: 17.5 us, 17.5 us

典型接通延迟时间: 120 ns, 120 ns

单位重量: 8 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

EMH2418R-TL-H参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Last Time Buy
FET 类型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源电压(Vdss): 24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15mOhm 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.3W
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装: SOT-383FL, EMH8
温度: 150°C (TJ)