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EMF5T2R_null
EMF5T2R
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

+1:

¥6.352704

+100:

¥3.602016

+1000:

¥2.283696

+4000:

¥1.548288

+8000:

¥1.15344

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

自营 国内现货
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EMF5T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥0.968665

+16000:

¥0.89951

+24000:

¥0.878743

+56000:

¥0.856316

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

Digi-Key
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EMF5T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥1.67385

+16000:

¥1.55435

+24000:

¥1.518464

+56000:

¥1.479712

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMF5T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥5.233502

+10:

¥4.4734

+100:

¥3.10895

+500:

¥2.427098

+1000:

¥1.972782

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

EMF5T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥5.233502

+10:

¥4.4734

+100:

¥3.10895

+500:

¥2.427098

+1000:

¥1.972782

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMF5T2R_晶体管
EMF5T2R
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

晶体管

+8000:

¥1.93283

+24000:

¥1.869459

+48000:

¥1.821928

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMF5T2R_未分类
EMF5T2R
授权代理品牌

Power Management (Dual Transistors) 6-Pin EMT T/R

未分类

+425:

¥0.698381

+500:

¥0.674658

+1000:

¥0.667066

+2000:

¥0.653784

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

EMF5T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V
电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: