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	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.299221 +10：￥0.276207 +30：￥0.271597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

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	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+20：￥1.049472 +100：￥0.89208 +300：￥0.734688 +1000：￥0.603504 +8000：￥0.524736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

自营现货库存

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	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+10：￥0.385695 +100：￥0.31576 +300：￥0.280792 +1000：￥0.254568 +5000：￥0.233586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

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	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.201586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

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	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.417671 +500：￥0.277599 +4000：￥0.241944 +8000：￥0.216476 +48000：￥0.213929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

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	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册	+1：￥5.52456 +100：￥3.016512 +1000：￥1.84608 +4000：￥1.172304 +8000：￥0.848736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

自营国内现货

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	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+8000：￥0.734427 +16000：￥0.669644 +24000：￥0.626455 +56000：￥0.611367	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

Digi-Key

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	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+8000：￥1.269088 +16000：￥1.157143 +24000：￥1.082512 +56000：￥1.05644	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥6.05445 +10：￥4.559371 +100：￥2.836943 +500：￥1.941131 +1000：￥1.493101	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+10：￥0.451705 +100：￥0.336544 +300：￥0.315391 +1000：￥0.294239 +5000：￥0.284838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666

EMH11T2R参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	150mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	EMT6
温度: