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自营 现货库存
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EMG11T2R_晶体管-双极
EMG11T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+1:

¥0.633259

+200:

¥0.245065

+500:

¥0.236451

+1000:

¥0.232196

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG11T2R_null
EMG11T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

+1:

¥4.484304

+100:

¥2.542608

+1000:

¥1.611936

+4000:

¥1.09296

+8000:

¥0.814176

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

自营 国内现货
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EMG11T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+8000:

¥0.688347

+16000:

¥0.619476

+24000:

¥0.610318

+56000:

¥0.573611

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG11T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+8000:

¥1.189462

+16000:

¥1.070454

+24000:

¥1.054627

+56000:

¥0.991198

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

EMG11T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+1:

¥4.610797

+10:

¥3.564022

+100:

¥2.140906

+500:

¥1.982394

+1000:

¥1.347973

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

EMG11T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+1:

¥4.610797

+10:

¥3.564022

+100:

¥2.140906

+500:

¥1.982394

+1000:

¥1.347973

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG11T2R_晶体管
EMG11T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管

+1:

¥5.862253

+10:

¥4.531361

+100:

¥2.42412

+1000:

¥1.584392

+2500:

¥1.568549

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

EMG11T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线
供应商器件封装: EMT5
温度: