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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.4872 +10：￥10.61412 +30：￥8.74104 +100：￥7.8045 +500：￥7.18014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.08W（Ta），19.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A 下载数据手册未分类	+1：￥5.704035 +10：￥4.676872 +30：￥4.16329 +100：￥3.649708 +500：￥3.256326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.08W（Ta），19.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.08W（Ta），19.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.535395 +6000：￥2.414662 +10000：￥2.303212	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.08W（Ta），19.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥6.202247 +6000：￥5.906903 +10000：￥5.634265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.08W（Ta），19.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.99576 +10：￥12.267962 +100：￥9.54159 +500：￥8.087714 +1000：￥6.588425	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8
DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.99576 +10：￥12.267962 +100：￥9.54159 +500：￥8.087714 +1000：￥6.588425	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A 下载数据手册未分类	+1：￥17.14233 +10：￥14.024059 +100：￥10.905789 +500：￥9.240535 +1000：￥7.542627	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.08W（Ta），19.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6009LFG-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥5.892574 +4000：￥5.712996 +10000：￥5.569916	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT6009LFG-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1925 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.08W（Ta），19.2W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）