制造商型号: | DMT6009LFG-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 11A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMT6009LFG-7
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DMT6009LFG-7 中文资料
数据手册PDF
DMT6009LFG-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 19.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
库存: 4168
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 13.078342 | 13.08 |
10 | 10.69933 | 106.99 |
100 | 8.321563 | 832.16 |
500 | 7.053586 | 3526.79 |
1000 | 5.746002 | 5746.00 |
品牌其他型号
DMT6009LFG-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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