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BZX84C2V7LT1G_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 2.7V 225MW SOT23-3

稳压二极管

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¥0.1693

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¥0.163468

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¥0.151792

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¥0.140106

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¥0.134274

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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BZX84C2V7LT1G
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DIODE ZENER 2.7V 225MW SOT23-3

稳压二极管

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¥0.12221

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

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BZX84C2V7LT1G_稳压二极管
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DIODE ZENER 2.7V 225MW SOT23-3

稳压二极管

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¥0.168177

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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DIODE ZENER 2.7V 225MW SOT23-3

稳压二极管

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品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

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BZX84C2V7LT1G
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DIODE ZENER 2.7V 225MW SOT23-3

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BZX84C2V7LT1G
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DIODE ZENER 2.7V 225MW SOT23-3

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品牌: onsemi

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封装/外壳: *

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

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工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V

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功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

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¥0.15107

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¥0.15107

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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¥0.299709

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¥0.128843

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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¥0.501715

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¥0.493148

+12000:

¥0.484698

+40500:

¥0.403895

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

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封装/外壳: *

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电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

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BZX84C2V7LT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 225 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA
工作温度: -65°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
温度: -65°C # 150°C(TJ)