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BZX84C6V2LT1G_稳压二极管
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DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23-3

稳压二极管

+5:

¥0.143987

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¥0.141506

+100:

¥0.136534

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±6%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

BZX84C6V2LT1G_稳压二极管
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DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23-3

稳压二极管

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¥0.099688

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±6%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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BZX84C6V2LT1G_稳压二极管
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稳压二极管 BZX84C6V2LT1G Z4 SOT-23

稳压二极管

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¥0.61226

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¥0.204974

+3000:

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¥0.109263

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±6%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23-3

稳压二极管

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品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±6%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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¥0.10106

库存: 1000 +

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品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±6%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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¥0.303645

库存: 1000 +

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品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±6%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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¥0.245417

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±6%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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¥0.140189

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¥0.133011

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±6%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

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¥0.266254

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¥0.261623

+15000:

¥0.259308

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

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封装/外壳: *

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±6%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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¥0.128205

+9000:

¥0.118824

+15000:

¥0.11257

+21000:

¥0.100062

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±6%

功率 - 最大值: 225 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -65°C # 150°C(TJ)

BZX84C6V2LT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 225 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA 4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA
工作温度: -65°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
温度: -65°C # 150°C(TJ)