2V7002WT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 2V7002WT1G 共 17 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册未分类	+5：￥0.329277 +50：￥0.269573 +150：￥0.23972 +500：￥0.208375 +3000：￥0.190463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+15000：￥0.437582	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.430915 +9000：￥0.404501 +15000：￥0.393477 +30000：￥0.369137	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.353076 +6000：￥0.347288 +9000：￥0.3415 +12000：￥0.335711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.29913 +9000：￥0.294152 +30000：￥0.291722 +90000：￥0.281882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.2967 +9000：￥0.291722 +30000：￥0.286743 +90000：￥0.281882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.436116 +6000：￥0.404557 +9000：￥0.335426 +30000：￥0.329557 +75000：￥0.295993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.753608 +6000：￥0.699073 +9000：￥0.579614 +30000：￥0.569473 +75000：￥0.511475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.451902 +10：￥3.079232 +100：￥1.500044 +500：￥1.25148 +1000：￥0.869483	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SC-70-3 (SOT323)
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.451902 +10：￥3.079232 +100：￥1.500044 +500：￥1.25148 +1000：￥0.869483	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SC-70-3 (SOT323)

2V7002WT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	310mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	24.5 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	280mW（Tj）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-70-3（SOT323）
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+15000：￥0.437582	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.430915 +9000：￥0.404501 +15000：￥0.393477 +30000：￥0.369137	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.353076 +6000：￥0.347288 +9000：￥0.3415 +12000：￥0.335711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.29913 +9000：￥0.294152 +30000：￥0.291722 +90000：￥0.281882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2V7002WT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.2967 +9000：￥0.291722 +30000：￥0.286743 +90000：￥0.281882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.5 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）