Packaging： Bulk

Package / Case： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -65°C # 200°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 650mV @ 15mA, 150mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 40 @ 150mA, 10V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-39

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 65 V

Power - Max： 1 W

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 65 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 650mV 15mA，150mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 150mA，10V

功率 - 最大值： 5 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： -

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 65 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 650mV 15mA，150mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 150mA，10V

功率 - 最大值： 5 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -65°C # 200°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 650mV @ 15mA, 150mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 40 @ 150mA, 10V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-39

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 65 V

Power - Max： 1 W