品牌： onsemi

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 200mA，20A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 750 10A，3V

功率 - 最大值： 160 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-204AA，TO-3

供应商器件封装： TO-204（TO-3）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 200mA，20A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 750 10A，3V

功率 - 最大值： 160 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-204AA，TO-3

供应商器件封装： TO-204（TO-3）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 200mA，20A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 750 10A，3V

功率 - 最大值： 160 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-204AA，TO-3

供应商器件封装： TO-204（TO-3）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tray

封装/外壳： TO-204-2 (TO-3)

系列： 2N6287

产品种类： 达林顿晶体管

配置： Single

晶体管极性： PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—基极电压 VCBO： 100 V

最大直流电集电极电流： 20 A

最大集电极截止电流： 500 uA

Pd-功率耗散： 160 W

安装风格： Through Hole

商标： onsemi

集电极连续电流： 20 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 100, 750

高度： 8.51 mm

长度： 39.37 mm

产品类型： Darlington Transistors

宽度： 26.67 mm

单位重量： 12.020 g

温度： - 65 C~+ 150 C