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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥4.87751 +100：￥3.29846 +500：￥2.42121 +1000：￥1.7545 +2000：￥1.666775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 274 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.589763 +10：￥2.130818 +30：￥1.934127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 274 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMN10A11GTA 授权代理品牌	ZXMN10A11GTA UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.819599 +1000：￥0.77202 +2000：￥0.725831	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.292098 +50：￥1.757275 +1000：￥1.464396 +20000：￥1.451662 +30000：￥1.451662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 274 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥3.42144 +50：￥2.623104 +1000：￥2.18592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 274 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥1.830834 +2000：￥1.630602 +5000：￥1.544772 +10000：￥1.430312 +25000：￥1.416201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 274 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.478706 +2000：￥3.988885 +5000：￥3.778922 +10000：￥3.498921 +25000：￥3.464404	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 274 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.555244 +10：￥9.100333 +100：￥6.297488 +500：￥5.262503	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管	+1：￥12.066178 +10：￥10.403001 +100：￥7.207096 +500：￥6.016783 +1000：￥4.973221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 274 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A11GTA Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥4.151735	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMN10A11GTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	350 毫欧 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	274 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）