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自营 现货库存
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ZTX749_双极性晶体管
授权代理品牌
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¥1.121921

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¥1.096294

+30:

¥1.079174

+100:

¥1.062055

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 160MHz

工作温度: -55°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: E-Line-3

供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容)

温度: -55°C # 200°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZTX749_未分类
ZTX749
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 2A TO226

未分类

+2748:

¥1.052431

+13737:

¥1.03165

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装: TO-226

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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ZTX749_双极性晶体管
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装: TO-226

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZTX749_双极性晶体管
授权代理品牌
+1:

¥6.471111

+10:

¥5.781797

+100:

¥4.510082

+500:

¥3.725672

+1000:

¥2.941331

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 160MHz

工作温度: -55°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: E-Line-3

供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容)

温度: -55°C # 200°C(TJ)

ZTX749_双极性晶体管
ZTX749
授权代理品牌
+2061:

¥1.055072

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装: TO-226

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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ZTX749_双极性晶体管
授权代理品牌
+1:

¥11.182057

+10:

¥9.990925

+100:

¥7.793408

+500:

¥6.43795

+1000:

¥5.08261

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 160MHz

工作温度: -55°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: E-Line-3

供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容)

温度: -55°C # 200°C(TJ)

ZTX749_双极性晶体管
+2061:

¥1.823161

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装: TO-226

温度: -55°C # 150°C (TJ)

ZTX749_双极性晶体管
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装: TO-226

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZTX749_未分类
ZTX749
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 2A E-LINE

未分类

+1:

¥12.672526

+10:

¥11.336402

+25:

¥10.757873

+100:

¥8.84322

+500:

¥7.300478

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 160MHz

工作温度: -55°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: E-Line-3

供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容)

温度: -55°C # 200°C(TJ)

ZTX749参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A,2V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装: TO-226
温度: -55°C # 150°C(TJ)