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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO 下载数据手册	+1：￥3.363053 +10：￥3.267572 +30：￥3.203918 +100：￥3.150873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 608pF 15V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+500：￥2.408105 +1000：￥1.926485	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 608pF 15V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+500：￥5.890863 +1000：￥4.712691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 608pF 15V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.050683 +10：￥9.718933 +100：￥7.452126	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.184858 +10：￥5.05276	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO 下载数据手册晶体管	+1：￥12.590981 +10：￥10.842234 +100：￥7.519615 +500：￥5.211268 +1000：￥4.686644	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 608pF 15V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMC3F31DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.8A，4.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	608pF 15V
功率 - 最大值:	1.8W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）