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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥17.2788 +100：￥12.9228 +200：￥10.0188 +500：￥7.26 +2500：￥6.534	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 12.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1890pF 15V 功率 - 最大值： 1.81W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册	+1：￥2.164236 +10：￥2.111191 +30：￥2.079364 +100：￥2.047537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 12.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1890pF 15V 功率 - 最大值： 1.81W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥5.794162 +1000：￥4.800877 +2500：￥4.469782 +5000：￥4.304235 +12500：￥4.138687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 12.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1890pF 15V 功率 - 最大值： 1.81W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥14.174055 +1000：￥11.744216 +2500：￥10.934271 +5000：￥10.529299 +12500：￥10.124325	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 12.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1890pF 15V 功率 - 最大值： 1.81W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥23.830042 +10：￥21.460813 +100：￥17.251297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥23.830042 +10：￥21.460813 +100：￥17.251297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥28.180549 +10：￥25.411364 +100：￥20.524563 +500：￥16.1916 +1000：￥13.878514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 12.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36.8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1890pF 15V 功率 - 最大值： 1.81W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMN3A04DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 12.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36.8nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1890pF 15V
功率 - 最大值:	1.81W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）