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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 下载数据手册射频晶体管	+1000：￥5.747362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A，800mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138pF 60V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-223-8 供应商器件封装： SM8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 下载数据手册射频晶体管	+1000：￥14.059569	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A，800mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138pF 60V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-223-8 供应商器件封装： SM8 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Gull Wing 供应商器件封装： SM-8
	ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Gull Wing 供应商器件封装： SM-8
	ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 下载数据手册未分类	+1000：￥12.77296 +2000：￥12.134285 +5000：￥11.678128 +10000：￥11.291522	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： SOT-223-8 Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss)： 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1A, 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 138pF @ 60V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 700mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 2.9nC @ 10V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： SM8
	ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 下载数据手册未分类	+1：￥26.849552 +10：￥22.350824 +100：￥17.790685 +500：￥15.053745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： SOT-223-8 Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss)： 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1A, 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 138pF @ 60V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 700mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 2.9nC @ 10V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： SM8
	ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 下载数据手册未分类	+1：￥26.849552 +10：￥22.350824 +100：￥17.790685 +500：￥15.053745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： SOT-223-8 Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss)： 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1A, 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 138pF @ 60V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 700mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 2.9nC @ 10V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： SM8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 下载数据手册未分类	+1：￥30.692937 +10：￥25.631867 +100：￥20.407537 +250：￥19.427976 +500：￥17.14233	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A，800mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138pF 60V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-223-8 供应商器件封装： SM8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC10A07T8TA 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥11.215315 +2000：￥10.836949	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMHC10A07T8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A，800mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	700 毫欧 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	138pF 60V
功率 - 最大值:	1.3W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-223-8
供应商器件封装:	SM8
温度:	-55°C # 150°C（TJ）