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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.291858 +10：￥1.260349 +30：￥1.239343 +100：￥1.218338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A，2.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 25V 功率 - 最大值： 1.7W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： DFN3020B-8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.453582 +6000：￥2.389862	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A，2.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 25V 功率 - 最大值： 1.7W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： DFN3020B-8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥6.002112 +6000：￥5.846237	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A，2.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 25V 功率 - 最大值： 1.7W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： DFN3020B-8 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.146738 +10：￥12.641213 +100：￥9.861185 +500：￥8.145668 +1000：￥6.430925	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-DFN (3x2)
	ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.146738 +10：￥12.641213 +100：￥9.861185 +500：￥8.145668 +1000：￥6.430925	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-DFN (3x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN 下载数据手册未分类	+1：￥16.297715 +10：￥13.347829 +100：￥10.381646 +500：￥8.800767 +1000：￥7.170996	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A，2.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 25V 功率 - 最大值： 1.7W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： DFN3020B-8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3AMCTA 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥6.607829 +6000：￥6.373671	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	ZXMC3AMCTA 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥11.843072 +10：￥10.66689 +100：￥8.733669 +500：￥7.325345 +1000：￥5.871884	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMC3AMCTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.9A，2.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	120 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	190pF 25V
功率 - 最大值:	1.7W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	DFN3020B-8
温度:	-55°C # 150°C（TJ）