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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥17.104923 +100：￥11.567358 +200：￥8.490933 +500：￥6.15285 +1000：￥5.845268	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A，3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.015307 +10：￥6.359671 +30：￥6.009999 +100：￥5.60569 +500：￥5.419926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A，3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥7.384143 +1500：￥7.384143 +5000：￥7.384143 +5500：￥6.922598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A，3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMC6A09DN8TA 授权代理品牌	ZXMC6A09DN8TA BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥2.603846 +500：￥2.403693 +2000：￥2.203307 +6000：￥2.003039	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+14：￥5.798993 +125：￥5.35599 +250：￥4.872758 +500：￥4.067348	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A，3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+14：￥14.185872 +125：￥13.102171 +250：￥11.920056 +500：￥9.94981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A，3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+14：￥14.185872 +125：￥13.102171 +250：￥11.920056 +500：￥9.94981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
	ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+14：￥14.185872 +125：￥13.102171 +250：￥11.920056 +500：￥9.94981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥34.824076 +10：￥25.371827 +100：￥18.075354 +250：￥17.08038 +500：￥15.919578	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A，3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC6A09DN8TA Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+500：￥12.657701	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMC6A09DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.9A，3.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 8.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1407pF 40V
功率 - 最大值:	1.8W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）