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ZXMC4559DN8TC_未分类
ZXMC4559DN8TC
授权代理品牌

ZXMC4559DN8TC BYCHIP/百域芯

未分类

+10:

¥2.367112

+500:

¥2.185133

+2000:

¥2.003039

+6000:

¥1.820945

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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ZXMC4559DN8TC_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

射频晶体管

+2500:

¥4.329346

+5000:

¥4.166619

+12500:

¥4.152004

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A,2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA(最小)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.4nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1063pF 30V

功率 - 最大值: 2.1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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ZXMC4559DN8TC_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

射频晶体管

+2500:

¥10.590727

+5000:

¥10.192655

+12500:

¥10.156902

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A,2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA(最小)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.4nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1063pF 30V

功率 - 最大值: 2.1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZXMC4559DN8TC_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

射频晶体管

+1:

¥24.144406

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

ZXMC4559DN8TC_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

射频晶体管

+1:

¥24.144406

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货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

Mouser
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ZXMC4559DN8TC_晶体管
ZXMC4559DN8TC
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MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

晶体管

+2500:

¥19.585971

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A,2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA(最小)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.4nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1063pF 30V

功率 - 最大值: 2.1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZXMC4559DN8TC参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A,2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.4nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1063pF 30V
功率 - 最大值: 2.1W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -55°C # 150°C(TJ)