制造商型号： | ZXMC4559DN8TC |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMC4559DN8TC
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ZXMC4559DN8TC 中文资料
数据手册PDF
ZXMC4559DN8TC 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.6 A, 2.6 A
漏源电阻 55 mOhms, 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.4 nC, 12.1 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.6 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 10.2 S, 7.2 S
上升时间 4.1 ns, 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns, 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 1376
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 18.410476 | 18.41 |
| 10 | 16.532359 | 165.32 |
| 25 | 15.598244 | 389.96 |
| 100 | 12.168212 | 1216.82 |
| 250 | 11.855852 | 2963.96 |
| 500 | 10.29578 | 5147.89 |
| 1000 | 8.735708 | 8735.71 |
