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ZXMN2A04DN8TC_未分类
ZXMN2A04DN8TC
授权代理品牌

ZXMN2A04DN8TC VBSEMI/微碧半导体

未分类

+5:

¥1.223841

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¥1.19328

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¥1.162603

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¥1.132042

+300:

¥1.10148

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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ZXMN2A04DN8TC_未分类
ZXMN2A04DN8TC
授权代理品牌

ZXMN2A04DN8TC UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体

未分类

+500:

¥0.930731

+1000:

¥0.893919

+1500:

¥0.857801

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
ZXMN2A04DN8TC_未分类
ZXMN2A04DN8TC
授权代理品牌

ZXMN2A04DN8TC JSMICRO/深圳杰盛微

未分类

+50:

¥0.812305

+4000:

¥0.798183

+12000:

¥0.776998

+20000:

¥0.755813

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¥0.727567

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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ZXMN2A04DN8TC_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 5.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA(最小)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.1nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1880pF 10V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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ZXMN2A04DN8TC_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 5.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA(最小)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.1nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1880pF 10V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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ZXMN2A04DN8TC_射频晶体管
ZXMN2A04DN8TC
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 5.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA(最小)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.1nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1880pF 10V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZXMN2A04DN8TC参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 5.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.1nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1880pF 10V
功率 - 最大值: 1.8W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -55°C # 150°C(TJ)