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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥18.359814 +10：￥15.605854 +30：￥12.851894 +100：￥11.474914 +500：￥10.556887	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A，1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-223-8 供应商器件封装： SM8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 下载数据手册	+1：￥6.238092 +200：￥2.418852 +500：￥2.33398 +1000：￥2.291544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A，1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-223-8 供应商器件封装： SM8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 下载数据手册射频晶体管	+1000：￥4.504049 +2000：￥4.439706 +5000：￥4.117988 +10000：￥3.957158 +25000：￥3.860614	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A，1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-223-8 供应商器件封装： SM8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 下载数据手册射频晶体管	+1000：￥12.177714 +2000：￥11.298348 +3000：￥11.043627	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A，1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-223-8 供应商器件封装： SM8 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥38.552561 +10：￥24.829685 +100：￥16.987605 +500：￥13.63292	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Gull Wing 供应商器件封装： SM-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A，1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-223-8 供应商器件封装： SM8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMHC6A07T8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A，1.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	300 毫欧 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	166pF 40V
功率 - 最大值:	1.3W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-223-8
供应商器件封装:	SM8
温度:	-55°C # 150°C（TJ）