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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥18.543008 +100：￥12.539835 +200：￥9.204833 +500：￥6.670125 +1000：￥6.336649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1063pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥8.916652 +10：￥7.474253 +30：￥6.676562 +100：￥5.780526 +500：￥5.387144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1063pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥4.37659 +1000：￥3.455147	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1063pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥10.706299 +1000：￥8.452204	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1063pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥18.641713 +10：￥16.622195 +100：￥12.959874	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥18.641713 +10：￥16.622195 +100：￥12.959874	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥20.894445 +10：￥15.505006 +100：￥12.685914 +500：￥9.700993 +1000：￥8.772352	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1063pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMN6A25DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20.4nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1063pF 30V
功率 - 最大值:	1.8W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）