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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.578631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 2.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 186 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 970mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥0.965153 +2000：￥0.906659 +5000：￥0.818918 +10000：￥0.760424 +25000：￥0.742876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 2.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 186 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 970mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

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ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.361022 +2000：￥2.217929 +5000：￥2.003291 +10000：￥1.860198 +25000：￥1.817271	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 2.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 186 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 970mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)
ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.225446 +10：￥6.134545 +100：￥4.581782 +500：￥3.599972	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89
ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89

Mouser

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	ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120mOhm 2.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 186 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 970mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)

ZXMN3A01ZTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.2A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	120mOhm 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	186 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	970mW (Ta)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	SOT-89-3
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C (TJ)