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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥3.504185 +200：￥1.403817 +500：￥1.360952 +1000：￥1.328804	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.17A，1.64A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 25V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.809456 +5000：￥2.736483	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.17A，1.64A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 25V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥6.872673 +5000：￥6.694163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.17A，1.64A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 25V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥16.150997 +10：￥14.479226 +100：￥11.29153 +500：￥9.327342 +1000：￥7.363579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
	ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥15.288643 +10：￥13.689647 +100：￥10.673997 +500：￥8.822529 +1000：￥6.97106	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.17A，1.64A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 25V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3A01N8TC 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥6.743466 +5000：￥6.367957 +10000：￥6.290857	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMHC3A01N8TC参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.17A，1.64A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	125 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	190pF 25V
功率 - 最大值:	870mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）