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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.762522 +200：￥7.301382 +800：￥5.660622 +2500：￥4.1019 +5000：￥3.896805	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.39A，1.28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.421786 +10：￥8.008506 +30：￥6.595226 +100：￥5.888586 +500：￥5.417533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.39A，1.28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.39A，1.28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+500：￥19.272207	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.39A，1.28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+100：￥7.608333 +500：￥6.288661 +1000：￥4.96899 +2500：￥4.629017 +10000：￥4.229049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.39A，1.28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.944708 +100：￥5.76532 +1250：￥5.241263 +2500：￥4.866888	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.39A，1.28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥4.61603 +7500：￥4.451069 +25000：￥4.368646 +27500：￥4.32755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.39A，1.28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.482851 +5000：￥2.462464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.39A，1.28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥6.567551 +5000：￥6.09972 +7500：￥6.023838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.39A，1.28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166pF 40V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥24.171843 +10：￥15.268038 +100：￥10.19807 +500：￥8.023829 +1000：￥7.32453	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP

ZXMHC6A07N8TC参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.39A，1.28A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	166pF 40V
功率 - 最大值:	870mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）