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搜索 ZXMHC3F381N8TC 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥10.928357 +200：￥7.390317 +800：￥5.424793 +2500：￥3.931048 +5000：￥3.734544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.98A，3.36A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430pF 15V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.132 +10：￥9.4622 +30：￥7.7924 +100：￥6.9575 +500：￥6.4009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.98A，3.36A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430pF 15V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.277871 +10：￥4.294417 +30：￥3.813617 +100：￥3.32189 +500：￥3.037781	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.98A，3.36A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430pF 15V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.532483	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.98A，3.36A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430pF 15V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+2500：￥5.602484	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.98A，3.36A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430pF 15V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.462464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.98A，3.36A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430pF 15V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥6.023838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.98A，3.36A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430pF 15V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.32099 +10：￥9.240376 +100：￥7.18577 +500：￥6.090387 +1000：￥6.023838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
	ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.32099 +10：￥9.240376 +100：￥7.18577 +500：￥6.090387 +1000：￥6.023838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥14.889809 +10：￥13.332525 +100：￥10.395545 +500：￥8.592375 +1000：￥6.789206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.98A，3.36A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 430pF 15V 功率 - 最大值： 870mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMHC3F381N8TC参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.98A，3.36A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	33 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	430pF 15V
功率 - 最大值:	870mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）