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ZXMHC3A01T8TA_射频晶体管
ZXMHC3A01T8TA
授权代理品牌

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

射频晶体管

+20:

¥18.056346

+100:

¥15.345825

+500:

¥11.897325

+1000:

¥8.62125

+2000:

¥8.190127

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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ZXMHC3A01T8TA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

射频晶体管

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¥11.998779

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¥10.609

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¥9.739062

+100:

¥8.106337

+500:

¥7.667124

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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ZXMHC3A01T8TA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

射频晶体管

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¥5.010355

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¥4.646879

+3000:

¥4.514485

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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ZXMHC3A01T8TA_射频晶体管
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MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

射频晶体管

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¥12.177714

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¥11.298348

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¥11.043627

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

射频晶体管

+1:

¥37.481656

+10:

¥24.080052

+100:

¥16.478162

+500:

¥13.223835

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Gull Wing

供应商器件封装: SM-8

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MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

射频晶体管

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¥37.481656

+10:

¥24.080052

+100:

¥16.478162

+500:

¥13.223835

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Gull Wing

供应商器件封装: SM-8

Mouser
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ZXMHC3A01T8TA_晶体管
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晶体管

+1:

¥27.878778

+10:

¥22.987764

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¥18.585852

+250:

¥18.422819

+500:

¥15.651244

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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ZXMHC3A01T8TA_未分类
ZXMHC3A01T8TA
授权代理品牌

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

未分类

+1000:

¥12.135832

+2000:

¥11.59397

+5000:

¥11.114391

+10000:

¥10.745365

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

ZXMHC3A01T8TA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V
功率 - 最大值: 1.3W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-223-8
供应商器件封装: SM8
温度: -55°C # 150°C(TJ)