ZVNL120GTA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.74588 +100：￥5.91448 +500：￥4.34148 +1000：￥3.146 +2000：￥2.9887	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZVNL120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.75368 +10：￥6.4614 +30：￥5.16912 +100：￥4.3076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	ZVNL120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥2.83421 +200：￥1.096819 +500：￥1.058274 +1000：￥1.039263	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.324766 +2000：￥2.106821 +5000：￥1.961507 +10000：￥1.888877 +25000：￥1.840438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	ZVNL120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.686994 +2000：￥5.153843 +5000：￥4.798363 +10000：￥4.620692 +25000：￥4.502198	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZVNL120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.301639 +10：￥11.727159 +100：￥8.992179 +500：￥7.108777	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVNL120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥13.745751 +10：￥12.315072 +100：￥9.608 +500：￥7.938873 +1000：￥6.25572	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 250mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 85 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZVNL120GTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	320mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 250mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	85 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）