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	ZVN4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.505167 +10：￥2.312461 +30：￥2.273928 +100：￥2.158298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥7.778848 +100：￥5.260475 +800：￥3.861473 +3000：￥2.798125 +6000：￥2.658249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.376526 +10：￥2.983145 +30：￥2.775527 +100：￥2.578836 +500：￥2.130818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.84592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVN4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.928362 +6000：￥4.693617 +9000：￥4.477016 +30000：￥4.468444	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.858698 +10：￥9.744136 +100：￥7.582423 +500：￥6.426557 +1000：￥5.23526	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6
ZVN4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.858698 +10：￥9.744136 +100：￥7.582423 +500：￥6.426557 +1000：￥5.23526	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 下载数据手册晶体管	+1：￥13.556273 +10：￥11.008349 +100：￥8.50942 +500：￥7.121127 +1000：￥5.847164	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4525E6TA Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 0.23A 6-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.649697 +10：￥6.949306 +25：￥6.916549 +100：￥6.044571 +250：￥6.010254	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4525E6TA DIODES(美台) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+10：￥6.30671 +25：￥6.244258 +100：￥4.806898 +250：￥4.758856 +500：￥4.033451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVN4525E6TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	230mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	72 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-6
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）