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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.247936 +100：￥4.460688 +200：￥3.673584 +500：￥3.280032 +800：￥3.01752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.940235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.991282 +6000：￥1.854019 +15000：￥1.785318 +30000：￥1.716686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.440928 +6000：￥3.203738 +15000：￥3.085024 +30000：￥2.966428	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.921407 +10：￥7.827048 +100：￥6.003514 +500：￥4.74619 +1000：￥3.796951	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.921407 +10：￥7.827048 +100：￥6.003514 +500：￥4.74619 +1000：￥3.796951	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 下载数据手册晶体管	+1：￥12.203331 +10：￥10.8109 +100：￥8.292008 +500：￥6.555381 +1000：￥5.350693	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM62P02E6TA 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥3.527835 +6000：￥3.372825 +15000：￥3.313313	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXM62P02E6TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	320 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-6
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）