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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.089008 +100：￥8.216352 +200：￥6.34248 +500：￥5.385744 +800：￥4.84416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 358 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.49063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 358 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMN20B28KTC 授权代理品牌	ZXMN20B28KTC BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.380815 +500：￥1.274661 +2000：￥1.168391 +6000：￥1.062237	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.934693 +5000：￥1.801201 +12500：￥1.734523 +25000：￥1.667843	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 358 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.343142 +5000：￥3.11247 +12500：￥2.997248 +25000：￥2.882028	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 358 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.667578 +10：￥7.604354 +100：￥5.832703 +500：￥4.611151 +1000：￥3.688921	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3
ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.667578 +10：￥7.604354 +100：￥5.832703 +500：￥4.611151 +1000：￥3.688921	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥12.046389 +10：￥10.382086 +100：￥7.180282 +500：￥5.991493 +1000：￥5.103866	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 358 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMN20B28KTC参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 毫欧 2.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.1 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	358 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）