品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 10 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 10 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 10 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 10 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C