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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2410L-G-P014 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.28902 +200：￥2.825283 +500：￥2.730757 +1000：￥2.678242	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 125 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2410L-G-P014 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥13.580941	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 125 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2410L-G-P014 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥22.383966 +25：￥18.536722 +250：￥17.137726 +2000：￥17.137726	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 125 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VN2410L-G-P014 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Ammo 下载数据手册未分类	+2000：￥9.599053	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

VN2410L-G-P014参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	带盒（TB）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	190mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	125 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92-3
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）