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VS-8ETH06S-M3_二极管整流器
VS-8ETH06S-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRED Pt®

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.4 V 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

Digi-Key
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VS-8ETH06S-M3_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

二极管整流器

+1000:

¥7.120466

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRED Pt®

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.4 V 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

VS-8ETH06S-M3_未分类
VS-8ETH06S-M3
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

未分类

+1:

¥14.582469

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¥11.654539

+100:

¥9.236994

+500:

¥7.828785

+1000:

¥6.377542

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tube

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Diode Type: Standard

Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr): 25 ns

Capacitance @ Vr, F: -

Current - Average Rectified (Io): 8A

Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)

Operating Temperature - Junction: -65°C # 175°C

Part Status: Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A

Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

Mouser
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授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

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¥16.669879

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¥13.581048

+100:

¥10.55759

+500:

¥8.955976

+1000:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRED Pt®

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.4 V 8 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

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VS-8ETH06S-M3
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¥4.950874

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¥3.809093

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VS-8ETH06S-M3参数规格

属性 参数值
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电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
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不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.4 V 8 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
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不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
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封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
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