锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 VEC2616-TL-W4 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VEC2616-TL-W_未分类
VEC2616-TL-W
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

未分类

+1:

¥5.033861

+200:

¥1.948591

+500:

¥1.883638

+1000:

¥1.851162

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A,2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 80 毫欧 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 505pF 20V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: SOT-28FL/VEC8

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VEC2616-TL-W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A,2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 80 毫欧 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 505pF 20V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: SOT-28FL/VEC8

温度: 150°C(TJ)

VEC2616-TL-W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: SOT-28FL/VEC8

VEC2616-TL-W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: SOT-28FL/VEC8

VEC2616-TL-W参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A,2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 80 毫欧 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 505pF 20V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: SOT-28FL/VEC8
温度: 150°C(TJ)