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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMF28NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+300：￥1.425622 +500：￥0.964007 +1000：￥0.707608 +3000：￥0.512798 +6000：￥0.487146	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 180 1mA，6V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 500mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，140MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

自营现货库存

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	UMF28NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 下载数据手册未分类	+1：￥0.980972 +10：￥0.778056 +30：￥0.691092 +100：￥0.582597 +500：￥0.534283	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 180 1mA，6V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 500mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，140MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMF28NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.841918	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 180 1mA，6V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 500mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，140MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMF28NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 下载数据手册未分类	+6000：￥0.18761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 180 1mA，6V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 500mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，140MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMF28NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 下载数据手册	+1：￥2.101968 +100：￥1.191888 +1000：￥0.72936 +3000：￥0.551376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 180 1mA，6V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 500mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，140MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

自营国内现货

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	UMF28NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.449906 +6000：￥0.404916 +15000：￥0.359926 +30000：￥0.33743 +75000：￥0.31833	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 180 1mA，6V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 500mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，140MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMF28NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥1.10059 +6000：￥0.990532 +15000：￥0.880473 +30000：￥0.825443 +75000：￥0.778719	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 180 1mA，6V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 500mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，140MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：
	UMF28NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.970183 +10：￥4.399765 +100：￥2.493201 +500：￥1.650886 +1000：￥1.26568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
	UMF28NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.970183 +10：￥4.399765 +100：￥2.493201 +500：￥1.650886 +1000：￥1.26568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMF28NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 下载数据手册未分类	+1：￥6.15501 +10：￥4.636773 +100：￥2.626137 +500：￥1.750758 +1000：￥1.340424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 180 1mA，6V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA / 500mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，140MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

UMF28NTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	1 NPN 预偏压式，1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA，150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	68 5mA，5V / 180 1mA，6V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA / 500mV 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz，140MHz
功率 - 最大值:	150mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	UMT6
温度: