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UMF5NTR_晶体管-双极
UMF5NTR
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

晶体管-双极

+5:

¥1.060444

+50:

¥0.883784

+150:

¥0.707003

+500:

¥0.589149

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

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UMF5NTR_未分类
UMF5NTR
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

未分类

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¥0.764577

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¥0.625942

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¥0.556625

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¥0.463521

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

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UMF5NTR_晶体管-双极
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TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

晶体管-双极

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¥0.581042

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

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UMF5NTR_null
UMF5NTR
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TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

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¥5.06376

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¥2.7648

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¥1.692

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¥1.225008

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

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UMF5NTR_晶体管-双极
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TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

晶体管-双极

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¥1.969699

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

UMF5NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

晶体管-双极

+1:

¥11.168004

+10:

¥6.94558

+100:

¥4.471792

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¥3.403641

+1000:

¥3.058657

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

UMF5NTR_晶体管-双极
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TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

晶体管-双极

+1:

¥11.168004

+10:

¥6.94558

+100:

¥4.471792

+500:

¥3.403641

+1000:

¥3.058657

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
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UMF5NTR
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

未分类

+1:

¥7.462302

+10:

¥6.450746

+100:

¥4.825623

+500:

¥3.780901

+1000:

¥2.91859

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

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UMF5NTR_未分类
UMF5NTR
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¥3.554444

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¥2.658687

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¥2.4681

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货期:7~10 天

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UMF5NTR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V
电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V / 270 10mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz,260MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: UMT6
温度: