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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD6NFHATR_晶体管-双极
UMD6NFHATR
授权代理品牌

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH

晶体管-双极

+1:

¥0.646113

+200:

¥0.250038

+500:

¥0.241251

+1000:

¥0.236909

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD6NFHATR_null
UMD6NFHATR
授权代理品牌

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH

+1:

¥3.021926

+100:

¥1.713485

+1000:

¥1.04855

+3000:

¥0.792806

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

Digi-Key
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UMD6NFHATR_晶体管-双极
授权代理品牌

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH

晶体管-双极

+3000:

¥1.30139

+6000:

¥1.272344

+9000:

¥1.126861

+30000:

¥1.112339

+75000:

¥0.945133

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

UMD6NFHATR_晶体管-双极
授权代理品牌

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH

晶体管-双极

+1:

¥5.9355

+10:

¥4.180108

+100:

¥2.108998

+500:

¥1.868546

+1000:

¥1.454072

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

UMD6NFHATR_晶体管-双极
授权代理品牌

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH

晶体管-双极

+1:

¥5.9355

+10:

¥4.180108

+100:

¥2.108998

+500:

¥1.868546

+1000:

¥1.454072

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD6NFHATR_晶体管
UMD6NFHATR
授权代理品牌

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH

晶体管

+1:

¥7.546501

+10:

¥4.447619

+100:

¥2.376345

+1000:

¥1.862543

+3000:

¥1.42902

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

UMD6NFHATR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: UMT6
温度: